化合物半導体ウェハーおよびデバイス、特に窒化ガリウム（GaN）を基盤とするものに特化し、エピタキシャル成長からパッケージング・試験に至るまでの各段階をカバーする中核技術チームを擁しています。

当社は、温度・湿度管理された超クリーンなFAB施設とオフィスエリア計12,000平方メートルの建設を担当しました。これらの施設の清浄度はISOクラス4～6であり、HVAC、自動化、スマートビルシステム、プロセス配管に関するシステムエンジニアリングを含みます。